• 透射電鏡高溫力學(xué)原位系統通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺內構建力、熱復合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測量系統,結合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監測樣品在真空環(huán)境下隨溫度、施加力變化產(chǎn)生的微觀(guān)結構、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀(guān)應力以及表/界面處的結構和成分演化等關(guān)鍵信息。

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      產(chǎn)品價(jià)格:面議
      廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
      更新日期:2023-12-27
    • 透射電鏡雙傾探針電學(xué)原位系統通過(guò)納米探針對樣品施加電場(chǎng)控制,結合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監測樣品在真空環(huán)境下隨電場(chǎng)變化產(chǎn)生的微觀(guān)結構、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀(guān)應力以及表/界面處的結構和成分演化等關(guān)鍵信息。

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      更新日期:2023-12-27
    • 透射電鏡力電原位系統通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺內構建力、電復合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測量系統,結合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監測樣品在真空環(huán)境下隨電場(chǎng)、施加力變化產(chǎn)生的微觀(guān)結構、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀(guān)應力以及表/界面處的結構和成分演化等關(guān)鍵信息。

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      更新日期:2023-12-27
    • 透射電鏡高溫力電原位系統通過(guò)MEMS芯片對樣品施加力學(xué)、電場(chǎng)、熱場(chǎng)控制,在原位樣品臺內構建力、電、熱復合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測量系統,結合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監測樣品在真空環(huán)境下隨溫度、電場(chǎng)、施加力變化產(chǎn)生的微觀(guān)結構、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀(guān)應力以及表/界面處的結構和成分演化等關(guān)鍵信息。

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