透射電鏡氣體高溫原位系統

我們的優(yōu)勢

氣氛環(huán)境高分辨率

1．MEMS加工工藝，芯片視窗區域的氮化硅膜厚度最薄可達10 nm。

2．芯片封裝采用鍵合內封以及環(huán)氧樹(shù)脂外封雙保險方式，使芯片間的夾層最薄僅約100~200 nm，超薄夾層大幅減少對電子束的干擾，可清晰觀(guān)察樣品的原子排列情況，氣相環(huán)境可達到皮米級分辨率。

高安全性

1．采用納流控技術(shù)，通過(guò)壓電微控系統進(jìn)行流體微分控制，實(shí)現納升級微量流體輸送，控制精度為5 nL/s，每次氣體推送過(guò)程中，原位納流控系統及樣品桿中冗余的氣體量?jì)H有微升級別，有效保證電鏡安全。

2．采用高分子膜面接觸密封技術(shù)，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風(fēng)險。

3．采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區域的氮化硅膜具有耐高溫低應力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。

優(yōu)異的熱學(xué)性能

1．高精密紅外測溫校正，微米級高分辨熱場(chǎng)測量及校準，確保溫度的準確性。

2．超高頻控溫方式，排除導線(xiàn)和接觸電阻的影響，測量溫度和電學(xué)參數更精確。

3．采用高穩定性貴金屬加熱絲（非陶瓷材料），既是熱導材料又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線(xiàn)性關(guān)系，加熱區覆蓋整個(gè)觀(guān)測區域，升溫降溫速度快，熱場(chǎng)穩定且均勻，穩定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.01℃。

4．采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式，高頻反饋控制消除誤差，控溫精度±0.01 ℃。

5．多級復合加熱MEMS芯片設計，控制加熱過(guò)程熱擴散，極大抑制升溫過(guò)程的熱漂移，確保實(shí)驗的高效觀(guān)察。

多場(chǎng)耦合技術(shù)

可在氣相環(huán)境中實(shí)現光、電、熱、流體多場(chǎng)耦合。

智能化軟件和自動(dòng)化設備

1．人機分離，軟件遠程控制氣體條件，全程自動(dòng)記錄實(shí)驗細節數據，便于總結與回顧。

2．自定義程序升溫曲線(xiàn)?？啥x10步以上升溫程序、恒溫時(shí)間等，同時(shí)可手動(dòng)控制目標溫度及時(shí)間，在程序升溫過(guò)程中發(fā)現需要變溫及恒溫，可即時(shí)調整實(shí)驗方案，提升實(shí)驗效率。

3．內置絕對溫標校準程序，每塊芯片每次控溫都能根據電阻值變化，重新進(jìn)行曲線(xiàn)擬合和校正，確保測量溫度精確性，保證高溫實(shí)驗的重現性及可靠性。

4．全流程配備精密自動(dòng)化設備，協(xié)助人工操作，提高實(shí)驗效率。

技術(shù)參數

應用案例

selected nanocrystals versus time shown in (a). (e) Schematics highlight the morphological evolution of PbSe nanocrystals

observed in (a)?(c). All PbSe nanocrystals eventually form thin films by solid-state fusion. Scale bar: 20 nm