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簡(jiǎn)要描述：透射電鏡高溫力學(xué)原位系統通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺內構建力、熱復合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測量系統，結合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監測樣品在真空環(huán)境下隨溫度、施加力變化產(chǎn)生的微觀(guān)結構、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀(guān)應力以及表/界面處的結構和成分演化等關(guān)鍵信息。
產(chǎn)品型號：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家更新時(shí)間：2023-12-27訪(fǎng) 問(wèn) 量： 5083產(chǎn)品分類(lèi)
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力學(xué)性能
1．高精度壓電陶瓷驅動(dòng)，納米級別精度數字化精確定位。
2．實(shí)現1000℃加熱條件下壓縮、拉伸、彎曲等微觀(guān)力學(xué)性能測試。
3．nN級力學(xué)測量噪音。
4．具備連續的載荷-位移-時(shí)間數據實(shí)時(shí)自動(dòng)收集功能。
5．具備恒定載荷、恒定位移、循環(huán)加載控制功能，適用于材料的蠕變特性、應力松弛、疲勞性能研究。
優(yōu)異的熱學(xué)性能
1．高精密紅外測溫校正，微米級高分辨熱場(chǎng)測量及校準，確保溫度的準確性。
2．超高頻控溫方式，排除導線(xiàn)和接觸電阻的影響，測量溫度和電學(xué)參數更精確。
3．采用高穩定性貴金屬加熱絲（非陶瓷材料），既是熱導材料又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線(xiàn)性關(guān)系，加熱區覆蓋整個(gè)觀(guān)測區域，升溫降溫速度快，熱場(chǎng)穩定且均勻，穩定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.1℃。
4．采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式，高頻反饋控制消除誤差，控溫精度±0.01 ℃。
5．多級復合加熱MEMS芯片設計，控制加熱過(guò)程熱擴散，極大抑制升溫過(guò)程的熱漂移，確保實(shí)驗的高效觀(guān)察。
智能化軟件
1．人機分離，軟件遠程控制納米探針運動(dòng)，自動(dòng)測量載荷-位移數據。
2．自定義程序升溫曲線(xiàn)?？啥x10步以上升溫程序、恒溫時(shí)間等，同時(shí)可手動(dòng)控制目標溫度及時(shí)間，在程序升溫過(guò)程中發(fā)現需要變溫及恒溫，可即時(shí)調整實(shí)驗方案，提升實(shí)驗效率。
3．內置絕對溫標校準程序，每塊芯片每次控溫都能根據電阻值變化，重新進(jìn)行曲線(xiàn)擬合和校正，確保測量溫度精確性，保證高溫實(shí)驗的重現性及可靠性。
| 類(lèi)別 | 項目 | 參數 |
| 基本參數 | 桿體材質(zhì) | 高強度鈦合金 |
| 控制方式 | 高精度壓電陶瓷 | |
| 傾轉角 | α≥±20°，傾轉分辨率＜0.1°（實(shí)際范圍取決于透射電鏡和極靴型號） | |
| 適用電鏡 | Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi | |
| 適用極靴 | ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP | |
| (HR)TEM/STEM | 支持 | |
| (HR)EDS/EELS/SAED | 支持 |
600°C高溫下銅納米柱力學(xué)壓縮實(shí)驗
以形狀尺寸微小或操作尺度極小為特征的微機電系統 (MEMS)越來(lái)越受到人們的高度重視 , 對于尺度在 100μm 量級以下的樣品 , 會(huì )給常規的拉伸和壓縮試驗帶來(lái)一系列的困難。納米壓縮實(shí)驗 , 由于在材料表面局部體積內只產(chǎn)生很小的壓力 , 正逐漸成為微 / 納米尺度力學(xué)特性測量的主要工作方式。因此 , 開(kāi)展微納米尺度下材料變形行為的實(shí)驗研究十分必要。為了研究單晶面心立方材料的微納米尺度下變形行為 , 以納米壓縮實(shí)驗為主要手段 , 分析了銅納米柱初始塑性變形行為和晶體缺陷對單晶銅初始塑性變形的影響。結果表明銅柱在納米壓縮過(guò)程中表現出更大程度的彈性變形。同時(shí)對壓縮周?chē)牧习l(fā)生凸起的原因和產(chǎn)生的影響進(jìn)行了分析 , 認為銅納米柱壓縮時(shí)周?chē)牧系耐蛊饘е录{米硬度和測量的彈性模量值偏大。為了研究表面形貌的不均勻性對銅納米柱初始塑性變形行為的影響 , 通過(guò)加熱的方法 , 在銅納米柱表面制備得到納米級的表面缺陷 , 并對表面缺陷的納米壓縮實(shí)驗數據進(jìn)行對比分析 , 結果表明表面缺陷的存在會(huì )極大影響銅納米柱初始塑性變形。通過(guò)透射電子顯微鏡 ,銅納米柱壓縮點(diǎn)周?chē)奈诲e形態(tài)進(jìn)行了觀(guān)察 , 除了觀(guān)察到納米壓縮周?chē)傻奈诲e , 還發(fā)現有層錯、不全位錯及位錯環(huán)的共存。表明銅納米柱的初始塑性變形與位錯的發(fā)生有密切的聯(lián)系。
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