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簡(jiǎn)要描述:透射電鏡雙傾熱電原位系統通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺內構建熱、電復合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測量系統,結合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監測樣品在真空環(huán)境下隨溫度、電場(chǎng)變化產(chǎn)生的微觀(guān)結構、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀(guān)應力以及表/界面處的原子級結構和成分演化等關(guān)鍵信息。
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優(yōu)異的電學(xué)性能
1.采用模擬校驗設計的芯片電極,電場(chǎng)分布均勻、電位穩定,芯片表面的保護性涂層保證電學(xué)測量的低噪音和精確性,電流測量精度可達皮安級。
2.MEMS微加工特殊設計,在加熱過(guò)程中可同時(shí)進(jìn)行電學(xué)試驗和表征,不影響溫度穩定性。
優(yōu)異的熱學(xué)性能
1.高精密紅外測溫校正,微米級高分辨熱場(chǎng)測量及校準,確保溫度的準確性。
2.四電極的超高頻控溫方式,排除導線(xiàn)和接觸電阻的影響,測量溫度和電學(xué)參數更精確。
3.采用高穩定性貴金屬加熱絲(非陶瓷材料),既是熱導材料又是熱敏材料,其電阻與溫度有良好的線(xiàn)性關(guān)系,加熱區覆蓋整個(gè)觀(guān)測區域,升溫降溫速度快,熱場(chǎng)穩定且均勻,穩定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.01℃。
4.采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式,高頻反饋控制消除誤差,控溫精度±0.01℃。
5.DUTE多級復合加熱MEMS芯片設計,控制加熱過(guò)程熱擴散,極大抑制升溫過(guò)程的熱漂移,確保實(shí)驗的高效觀(guān)察。
6.加熱絲外部由氮化硅包覆,不與樣品發(fā)生反應,確保實(shí)驗的準確性。
智能化軟件和自動(dòng)化設備
1.人機分離,軟件遠程控制實(shí)驗條件,程序自動(dòng)化控制傾轉角度。
2.自定義程序升溫曲線(xiàn)??啥x10步以上升溫程序、恒溫時(shí)間等,同時(shí)可手動(dòng)控制目標溫度及時(shí)間,在程序升溫過(guò)程中發(fā)現需要變溫及恒溫,可即時(shí)調整實(shí)驗方案,提升實(shí)驗效率。
3.內置絕對溫標校準程序,每塊芯片的每次控溫都能根據電阻阻值變化,重新進(jìn)行曲線(xiàn)擬合和校正,確保測量溫度精確性,保證高溫實(shí)驗的重現性及可靠性。
4.全流程配備精密自動(dòng)化設備,協(xié)助人工操作,提高實(shí)驗效率。
類(lèi)別 | 項目 | 參數 |
基本參數 | 臺體材質(zhì) | |
電極數 | 4 | |
視窗膜厚 | 無(wú)膜或20nm | |
漂移率 | <0.5 nm/min(穩定狀態(tài)) | |
傾轉角 | α ≥ ±25°,β ≥ ±25°(實(shí)際范圍取決于極靴型號) | |
適用電鏡 | Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi | |
適用極靴 | ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP | |
(HR)TEM/STEM | 支持 | |
(HR)EDS/EELS/SAED | 支持升溫過(guò)程及高溫檢測 |
Ag2Te基熱電材料隨電壓變化情況
0.4v電壓Ag2Te基熱電材料高分辨
Ag2Te 基熱電材料由于能夠通過(guò)內部載流子的運動(dòng)實(shí)現電能和熱能之間的相互轉換;因此,在進(jìn)行施加電壓實(shí)驗過(guò)程中會(huì )出現隨著(zhù)電壓的增大,樣品自身溫度升高的現象;研究得知隨著(zhù)電壓持續升高,樣品表面結構變化明顯,紋路由不規則塊狀演變成條狀或消失。而且,通過(guò)降低電壓的過(guò)程,我們發(fā)現該材料升高或降低電壓時(shí),表面結構發(fā)生變化的過(guò)程是可逆的,表明該材料具有優(yōu)異的熱電性能和重復使用性能。
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